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● 采用PCIe3.0 x4接口。 ● 兼容NVMe 1.3协议，具有高性能、低延时的特点。 ● 支持S.M.A.R.T信息查看。 ● 支持TRIM，改善读/写性能。 ● 采用LDPC ECC 算法，增强数据的可靠性。 ● 采用原厂3D NAND存储介质，配合LDPC ECC技术，有效提高擦写次数，
● 采用PCIe3.0 x4接口。 ● 兼容NVMe 1.3协议，具有高性能、低延时的特点。 ● 支持S.M.A.R.T信息查看。 ● 支持TRIM，改善读/写性能。 ● 采用LDPC ECC 算法，增强数据的可靠性。 ● 采用原厂3D NAND存储介质，配合LDPC ECC技术，有效提高擦写次数，延长使用寿命。 ● 支持HMB。 ● 支持低功耗管理。
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